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物理学
激光诱发红外多光子解离和激光诱发介电击穿技术除去 SiCl_4中 PCl_3的研究
采用TEA—CO_2激光器,研究了半导体原料 SiCl_4中杂质 PCl_3的激光解离。考察了不同激光诱发技术——红外多光子解离和激光诱发介电击穿,对激光提纯的有效性;研究了激光化学反应规律;探索了激光提纯与络合吸收法联合使用的可能性影响激光纯化的各种因素。
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应用激光
1990年06期

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