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工业通用技术及设备
纯氮气反应溅射c-轴择优取向AIN薄膜的制备及性质研究
在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2~13.2nm.X射线衍射图谱表明:可以在衬底温度为180°条件下沉积出具有c-轴择优取向的纤锌矿氮化铝薄膜,衬底温度的增加有利于薄膜结晶性的改善.由紫外-可见光透射谱计算得到薄膜折射率为1.80~1.85,膜厚约为1μm、光学能隙为6.1eV.
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新疆大学学报(自然科学版)
2009年04期
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