手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
90nm技术节点硅栅的干法刻蚀工艺研究
进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越重要。重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片为基础,开展应用于90 nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发,深入分析了氯气、溴化氢和氧气等反应气体在工艺中的作用,优化了工艺参数,得到了满足90 nm技术节点工艺要求的刻蚀结果。
3 297
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
微细加工技术
2007年05期
相似文献
图书推荐
相关工具书

搜 索