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无线电电子学
氨化Si基Ga_2O_3/Ta薄膜制备GaN纳米线
利用磁控溅射技术在Si衬底上制备Ga2O3/Ta薄膜,然后在900℃、氨气中退火合成了大量的一维单晶氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、傅里叶红外吸收光谱、透射电子显微镜、选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明,制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约为50 nm,最大长度可达8μm左右。室温下光致发光谱的测试发现了364 nm处有较强紫外发光峰。
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微细加工技术
2007年05期
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