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无线电电子学
减压充氮直拉硅单晶技术
硅单晶的生产方法有两种:一是悬浮区熔法(FZ),二是直拉切氏法(CZ).前者硅单晶纯度较高但单晶直径受到一定限制,后者已成为生长大直径硅单晶的主要方法.为保证产品质量,在采用直拉法时,必须使用保护气体在一定压力下生长晶体.氩为惰性气体中较为廉价的一种,因此采用氖保护气拉制
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物理
1991年05期

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