对掺有镉、硒、硫的玻璃在 5 0 0— 80 0℃退火 2— 2 4h ,生长了不同尺寸的CdSxSe1 x纳米晶体 .用分光光度计和光致发光光谱 (PL)分析了纳米晶体的性能 .退火温度低于 5 5 0℃ ,纳米晶体处于成核阶段 ,6 0 0— 6 2 5℃处于正常扩散生长阶段 ,70 0— 80 0℃处于竞争生长阶段 ;而 6 5 0℃处于两种生长阶段之间 .虽然 6 5 0℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄 ,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变 ,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸 .在所有样品中出现了深能级缺陷 ,在 6 5 0℃退火时间小于 4h或大于 16h有利于减少深能级缺陷的密度 .