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物理学
具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合
用磁控溅射方法制备了NiFeⅠ FeMn Bi NiFeⅡ 薄膜 ,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ 及NiFeⅡ 间的交换偏置场Hex相对于分隔层Bi厚度的变化 .发现随分隔层Bi厚度的增加 ,FeMn与NiFeⅠ 间的交换偏置场Hex1 几乎不变 ,FeMn与NiFeⅡ 间的交换偏置场Hex2 急剧减小 .当Bi的厚度超过 0 6nm时 ,FeMn与NiFeⅡ 之间的交换偏置场从 6 92 5下降为 0 876kA·m- 1 .x射线光电子能谱 (XPS)分析表明 ,沉积在FeMn NiFeⅡ 界面的Bi并没有全部停留在界面处 ,至少有部分偏聚到NiFeⅡ 层表面
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物理学报
2002年12期

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