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物理学
制备温度对MgB_2薄膜超导电性的影响
报道了用两步法制备MgB2 超导薄膜 .首先利用脉冲激光沉积技术制备B膜 ,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理 ,通过扩散反应生成MgB2 超导薄膜 .采用扫描电子显微镜、x射线衍射、电阻测量和磁测量技术分析了前驱物B膜的制备温度对扩散产物MgB2 薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度和临界电流密度的影响 .结果表明 ,随着B膜制备温度的降低 ,MgB2 薄膜中晶粒粒度减小、c取向的衍射线宽化、超导转变温度升高、临界电流密度增大 .30 0℃时制备的MgB2 超导薄膜的超导起始转变温度为 39 5K ,临界电流密度为 1 3× 10 7A·cm- 2 (0T ,15K) .
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物理学报
2002年12期

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