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物理学
GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO_4激光特性研究
利用可饱和吸收半导体GaAs作为被动调Q元件和F P输出耦合镜 ,实现了半导体激光器 (LD)抽运Nd :YVO4激光调Q运转 ,获得脉宽度为 4 7ns,重复频率为 1183kHz,平均功率为 4 30mW ,光束质量为M2 =1 13的TEM0 0 激光基横模输出 ,调Q抽运阈值为 170 0mW .并数值求解了含有GaAs被动调Q兼输出耦合的速率方程 ,分析了GaAs被动调Q机理以及脉宽宽度、重复频率、平均功率随抽运速率、腔长的变化关系 ,理论与实验结果相一致 .为多功能综合型微型调Q固体激光器提供了简单有效的方法 .
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物理学报
2002年12期

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