光照下高电子迁移率晶体管特性分析-物理学报2000年07期-手机知网

光照下高电子迁移率晶体管特性分析

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以光照下耗尽型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管为例 ,考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应 ,采用器件的电荷控制模型 ,分析了光照对器件夹断电压、二维电子气浓度、I V特性以及跨导的影响 .与无光照的情况相比较 ,夹断电压变小 ,二维电子气浓度增大 ,从而提高了器件的电流增益 ,增大了跨导 .

机　构:

上海大学物理系!上海201800,上海大学物理系!上海201800,上海大学通信工程系!上海201800;

领　域:

物理学；无线电电子学；

关键词:

高电子迁移率晶体管；光压；电荷控制模型；二维电子气；