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物理学
光照下高电子迁移率晶体管特性分析
以光照下耗尽型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管为例 ,考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应 ,采用器件的电荷控制模型 ,分析了光照对器件夹断电压、二维电子气浓度、I V特性以及跨导的影响 .与无光照的情况相比较 ,夹断电压变小 ,二维电子气浓度增大 ,从而提高了器件的电流增益 ,增大了跨导 .
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物理学报
2000年07期

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