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物理学
掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究
采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜 (a SiOx∶H) ,离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光 .当材料中氧硅含量比约为 1和 1.76时 ,分别对应 77K和室温测量时最强的 1.5 4μm光致发光 .从 15到 2 5 0K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系 ,表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程 .提出氢化非晶氧化硅薄膜中发光铒离子来自于富氧区 ,并对实验现象进行了解释 .氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱 .从 15到 2 5 0K ,光致发光强度减弱约 1/ 2 .
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物理学报
2000年07期

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