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物理学
SrS:Eu与SrS:Eu,Sm中电子陷阱与光存储研究
对SrS :Eu和SrS :Eu ,Sm激发初始阶段的荧光上升过程和余辉进行了研究 ,并进一步考证其中电子陷阱的属性 .通过两种样品和两个阶段的比较 ,对陷阱数量和深度的变化、量子效率以及电子俘获和释放、复合过程进行了分析 ,发现Sm离子并不影响陷阱的数量 .利用吸收光谱方法研究了SrS :Eu ,Sm中电子由陷阱能级向导带的跃迁 .通过陷阱饱和 倒空吸收谱差 ,即激励吸收谱及其强度随Eu ,Sm浓度的变化 ,探讨了掺杂浓度对陷阱浓度和光存储饱和量的影响 .结果表明Sm离子的作用是使陷阱能级加深从而能稳定地储存电子 .通过激励吸收谱峰值强度可确切地比较光存储材料在这方面的性能 ,并与光激励谱的测量方法作了对照 .
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物理学报
2000年07期

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