金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应-物理学报2000年07期-手机知网

金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

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研究了金属氧化物半导体 (MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应 .采用加固的CC40 0 7进行辐照实验 ,在不同温度、不同偏压 ,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较 ,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢 .高温下辐照的器件 ,界面态建立的时间缩短 .根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨 .

机　构:

领　域:

物理学；

关键词:

金属氧化物半导体场效应；辐射效应；阈值电压漂移；

格　式:

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