手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
物理学
金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应
研究了金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应 .采用加固的CC40 0 7进行辐照实验 ,在不同温度、不同偏压 ,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较 ,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢 .高温下辐照的器件 ,界面态建立的时间缩短 .根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨 .
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
物理学报
2000年07期

搜 索