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无线电电子学
抗辐射体硅CMOS工艺技术研究
论述和分析了在抗辐射体硅CMOSI艺制造过程中,栅介质种类、栅氧化层厚度的选择以及氧化层的厚度与半导体器件抗辐射能力的关系。
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1996年03期
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