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物理学
Cd_(1-x)Zn_x合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长
本文运用热力学关系估算了CdZnTe 熔体平衡分压。尝试以Cd1 - xZnx 合金源替代Cd 源控制Cd 分压和Zn 分压进行了Cd0 .8Zn 0 .2Te 晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系。获得的Cd0 .8Zn 0 .2Te 晶体的电阻率接近1010Ω·cm ,高于同类方法文献报道1 ~2 个数量级。晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD) 为2 ×105cm - 2 ,纵向组成分布偏离度在4 % 左右,红外透过率大于60 % ,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd 分压控制的Cd0 .8Zn0 .2Te 晶体。
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人工晶体学报
1999年04期
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