Al-Mg-Si合金GP区强化作用的价电子结构分析-轻金属2008年08期-手机知网

Al-Mg-Si合金GP区强化作用的价电子结构分析

江苏技术师范学院数理学院广西大学物理科学与工程技术学院 ; | 胡益丰沈大华邓文

运用固体经验电子理论,对Al-Mg-Si合金GP区(L10型)的价电子结构进行了计算。结果表明:GP区晶胞最强键和次强键上的共价电子数远比纯Al晶胞的最强键共价电子数多,其主键络骨架对合金键络起到增强作用,使得位错运动难以切割,从而提高了合金的硬度。以Mg原子为中心的共价键络在GP区生长时起到主导作用,生成较强的Mg-Mg键和Mg-Si键。由于细小共格的GP区大量均匀脱溶沉淀提升了基体的整体键络强度,同样对合金产生强化作用。

机　构:

江苏技术师范学院数理学院; 广西大学物理科学与工程技术学院;

领　域:

金属学及金属工艺；

关键词:

Al-Mg-Si合金； GP区；价电子结构；

格　式:

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