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无线电电子学
自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析
 文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阈值电压的解析模型,给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法;分析了边缘效应对氧化层电容的影响,借助电荷共享模型,建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阈值电压模型;同时,借助二维仿真器,计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压,其值与解析值相吻合。
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微电子学
2003年06期
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