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无线电电子学
SiGe HBT的速度优化设计
 从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法。结合双极晶体管的工艺限制,介绍了SiGeHBT的基本原理,讨论了SiGeHBT的发射区/基区/集电区设计。最后,以一个100GHzfmax和fT的HBT为例,对电路制作工艺参数进行了讨论。
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微电子学
2003年06期
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