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宽带单刀多掷PIN开关的设计
中电科技集团公司第55研究所 江苏南京210016
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端木义清
介绍了微波PIN开关的电磁结构模型的建立及计算机仿真,讨论了宽带单刀多掷开关的设计要点。采用该方法成功设计了1~18GHz吸收式单刀五掷开关,其插损≤3.5dB,驻波≤2.2,隔离度≥60dB。
机 构:
中电科技集团公司第55研究所 江苏南京210016;
领 域:
无线电电子学
；
关键词:
微波PIN开关
；
单刀多掷开关
；
仿真
；
格 式:
PDF原版；EPUB自适应版
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2005年04期
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