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物理学
微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程
观察和分析了300μm×40μm×40nm的 NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是 Neel畴壁从正极性壁(N_+)转变为负极性壁(N_)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即 N_+→N_直接转变及经由十字壁(N_ct)的 N_+→N_ct→N_间接转变)进行了分析讨论. N_往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展. N_+→N_ct的转变是通过 N_+ 壁的数次分裂来实现的.
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金属学报
2000年04期
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