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物理学
真空蒸发非晶硅的退火及其局域态密度
<正> 1 引言真空蒸发法(VE法)制备的非晶硅(a—Si)其质量比射频辉光放电法、溅射法和化学汽相淀积法都差,但该法设备与工艺条件比较简单,淀积速率较快,材料使用率较高,易于实现大规模自动化生产,因此VE法的研究仍为人们所重视。 VE法制备a—Si质量较差的主要原因是局域态密度很高,达10~(20)cm~(-3)ev~(-1)。因此研究减少其局域态密度的有效退火方法成为利用VE法制备a—Si材料的前提。早期把VE法制备的
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暨南大学学报(自然科学与医学版)
1989年01期
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