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无线电电子学
掩模曝光剂量的精细控制工艺设计
本文从光学邻近效应的机理出发,基于区域划分掩模特征线条,实施曝光剂量控制,从而达到光学邻近效应的精细校正。通过模拟测试图形得到改进后的掩模图形畸变率,与传统曝光剂量校正法相比,减少了约4%。
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中国集成电路
2007年11期
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