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无线电电子学
宽带应用的反偏压HgCdTe光电二极管中的噪声
我们测量并分析了由反偏压引起的光电二极管中的过量噪声,从而发现:开始,噪声随着偏压缓慢地增大到某一确定的值,然后,如果电压再升高,噪声就急剧增大。这些结果表明:噪声开始增大时的电压,等于结电容开始饱和时的电压。如果光电二极管的外加偏压为这一值时,则可以得到最大的带宽,而又不会严重降低光电二极管的灵敏度。
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红外技术
1981年03期
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