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无线电电子学
MOS器件的热载流子效应
热载流子效应产生的原因,首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子,然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子,或者穿透氧化层,或者造成随时间而增加的界面态,或者造成载流子陷阱。热电子或热空穴也可以受结电场的作用而进入衬底。抑制热载流子效应的方向,一是在沟道两侧制作轻掺杂区,以降低沟道电场强度;二是对栅氧化层进行氮化处理和提高氧化温度,以改善氧化层的质量,增强抗热载流子效应的能力。
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河北大学学报(自然科学版)
1994年02期
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