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物理学
退火处理对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响
利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,将该样品进行退火处理,并测量了样品的导电性能,结果显示退火处理可以引起薄膜的重结晶,从而改善薄膜的结晶状况,改变薄膜中的化学配比。退火后样品的薄膜电阻相对较小,增加了薄膜中施主的浓度,增强了薄膜的导电性。
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光学与光电技术
2006年01期
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