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无线电电子学
非对称性隧穿势垒Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储特性的电路模拟
介绍了非对称性势垒单电子管(ATBs)的电路模拟和特性,以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟,得出由于台阶状复合势垒的作用,在擦写时间保持μs和ms量级的同时,存储时间可长达数年.从而解决了快速编程与长久存储之间的矛盾.
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湖南工程学院学报(自然科学版)
2006年01期

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