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无线电电子学
3.1~10.6GHz超宽带低噪声放大器的设计
基于SIMC0.18μmRF CMOS工艺技术,设计了可用于3.1~10.6GHzMB-OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器(LNA)。该LNA采用三级结构:第一级是共栅放大器,主要用来进行输入端的匹配;第二级是共源共栅放大器,用来在低频段提供较高的增益;第三级依然为共源共栅结构,用来在高频段提供较高的增益,从而补偿整个频带的增益使得增益平坦度更好。仿真结果表明:在电源电压为1.8V的条件下,所设计的LNA在3.1~10.6GHz的频带范围内增益(S21)为20dB左右,具有很好的增益平坦性(±0.4dB),回波损耗S11、S22均小于-10dB,噪声系数为4.5dB左右,IIP3为-5dBm,P1dB为0dBm。
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电子质量
2012年01期
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