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无线电电子学
硅片加工损伤机理的压痕、划痕研究
系统地分析了硅片的压痕、划痕的损伤机理,指出单晶硅压痕、划痕的损伤形式主要有微裂纹、位错、面缺陷、非晶及多晶相变等,材料的塑性去除和单晶硅的金属相变(Si-Ⅱ相)有关。该研究对分析单晶硅片机械加工过程中材料的损伤机理有重要的指导意义。
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电子质量
2008年08期

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