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无线电电子学
深亚微米槽栅PMOSFET特性研究
基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等。仿真结果表明,与平面器件相比,槽栅结构很好地抑制了短沟道效应和漏感应势垒降低效应,并具有较好的抗热载流子性能,但其漏极驱动能力低于平面器件,并从内部物理机制上解释了上述区别。
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电子器件
2003年03期
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