一种带隙基准电压源的设计与仿真-电子科技2011年07期-手机知网

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无线电电子学

一种带隙基准电压源的设计与仿真

西藏大学工学院 ; 西南交通大学信息科学与技术学院 | 李勇峰黄娟王丹

设计了一款带隙基准电压源,基于0.18μm的CMOS工艺,在Hspice下仿真,仿真结果表明,温度在-25~80℃内变化时,温度系数为9.14×10-6℃;电源电压在3~5 V之间变化时,基准电压在1 250±43 mV内变化,满足设计要求。

机　构:

西藏大学工学院; 西南交通大学信息科学与技术学院;

领　域:

无线电电子学；

关键词:

带隙基准；温度系数；互补金属氧化物半导体(CMOS)；

格　式:

PDF原版；EPUB自适应版(需下载客户端)

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