手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响
本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用。
8 160
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
电路与系统学报
2005年05期
相似文献
图书推荐
相关工具书

搜 索