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基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法
合肥工业大学
|
王文兵
介绍了一种基于检测功率MOSFET导通压降实现短路保护的方法。该方法利用功率MOSFET自身导通电阻产生的导通压降,来得到保护控制信号,实现对功率MOSFET的保护。经实验及工程应用验证,该方法具有保护动作速度快,电路结构简单、可靠的特点。
机 构:
合肥工业大学;
领 域:
无线电电子学
;
关键词:
场效应晶体管
;
短路保护/导通压降
;
格 式:
PDF原版;EPUB自适应版
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16
370
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电力电子技术
2009年08期
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