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无线电电子学
用于X荧光分析的半导体探测器
随着X荧光检测方法的广泛应用,作为核心的探测器性能显得尤其重要。国内研制的Si(Li)X射线探测器,部分性能指标达到并超过了国外水平,为我国X荧光仪整体性能的提升,打下了良好基础。另外,碲锌镉(CZT)晶体作为一种新型半导体材料,由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率。因此近年来发展迅速。我们实验室已制成Φ8×1.7mm3灵敏体积的CZT探测器,室温22℃下对241Am放射源、59.54keV能量的γ射线能量分辨率可以达到/2.06keV(FWHM)(未使用准直器),连续测量没有极化效应,并且具有很好的长期稳定性。
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常熟理工学院学报
2006年02期
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