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物理学
Si基上Co、Ta、NiO生长次序对界面结构的影响
用磁控溅射方法在Si衬底上制备了一系列NiO、Ta、Co的薄膜与多层膜,利用掠入射X射线散射方法研究了不同生长顺序的薄膜的表面、界面结构与形态,结果表明各层的沉积次序会影响各层的形态,尤其是SiO2层的厚度、质量密度等,对各层之间的界面粗糙度也会产生很大影响。进而研究了自旋阀结构的多层膜的界面形态和粗糙度,这对于解释含NiO的Co/Cu/Co基自旋阀的磁电阻提升提供了结构依据。
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常熟理工学院学报
2006年02期
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