手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
物理学
SiC单晶生长研究进展
SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注。本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响。对今后的研究方向提出了看法。
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
材料导报
2002年06期
相似文献
图书推荐
相关工具书

搜 索