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物理学
PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用
采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅 (SiN)薄膜 ,再对薄膜进行快速热退火处理 ,研究了在不同温度下SiN薄膜的退火特性 .通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率 ,发现退火后薄膜的厚度下降 ,折射率升高 ;采用准稳态光电导衰减QSSPCD测少数载流子寿命 ,发现少子寿命有很大程度的下降 .还研究了SiN薄膜对多晶硅电池性能的影响 ,发现它能较大幅度地提高电池效率
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北京师范大学学报(自然科学版)
2004年02期
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