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物理学
用DLTS研究硅中注磷缺陷的退火行为
用DLTS确定N型硅中注磷产生的电学缺陷,测量了从200℃到700℃热退火和不同辐照时间的CW-CO_2激光退火后电子陷阱的能级,浓度剖面分布和俘获截面,根据缺陷的退火行为并和已报道的数据进行了比较,分析了缺陷的可能构造。
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北京大学学报(自然科学版)
1982年04期

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