手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化
对 GAT (Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想 ,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度 ,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题 ,并对此进行了计算机仿真及试验研究 .仿真及试验结果都证明最大集电极电流得到大幅度提高
0 38
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
半导体学报
2001年11期

搜 索