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无线电电子学
超薄外延CoSi_2/n-Si的肖特基势垒接触特性
研究了超薄 (~ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形成超薄 Co Si2 薄膜 .X射线衍射测试表明该薄膜具有较好的外延特性 .用 I- V、C- V方法在 82— 332 K温度范围内测试了 Co Si2 /Si的肖特基势垒特性 .用弹道电子发射显微术直接测量了微区肖特基势垒高度 .测试表明 ,用 Co/Ti/Si方法形成的超薄Co Si2 /Si接触在室温时具有优良的肖特基势垒特性 ,I- V方法测得的势垒高度为 0 .59e V,其理想因子为 1 .0 1 ;在低温时 ,I- V方法测得的势垒高度随温度降低而降低 ,理想因子则升高 .采用肖特基势垒不均匀性理论 ,并假设势垒高度呈高斯分布 ,实验数据和理论吻合较好
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半导体学报
2000年05期
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