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无线电电子学
深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型
提出了深亚微米 SOI GCHT电流模型 .不同于普通 MOSFET短沟模型的处理 ,计及受栅电压及基极电压同时控制的可动电荷的影响 ,采用准二维分析及抛物线近似 ,求出沟道长度及漏端电压对源端表面势的影响 ,较好地反映了电荷共享效应及 DIBL效应 ,并定量计算出与漏电压和栅电压同时相关的动态阈值电压漂移量 .模型中同时考虑了速度饱和效应、迁移率下降效应和沟道长度调制效应等 .该模型具有清晰的物理意义 ,从理论上解释了 GCHT具有较小的短沟效应及较高的阈值电压稳定性等物理现象 .模型计算结果与数值模拟及实验结果吻合良好 ,较好地描述了短沟 GCHT的物理特性 .
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半导体学报
2000年05期
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