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无线电电子学
微波低噪声SiGe HBT的研制
利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益为 9d B,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景
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半导体学报
2000年05期
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