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无线电电子学
用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)
随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展 ,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求 .与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比 ,硅外延片一般能满足这些要求 .该文报道了应用于先进集成电路的 1 50 mm P/ P+ CMOS硅外延片研究进展 .在 PE2 0 61硅外延炉上进行了 P/P+ 硅外延生长 .外延片特征参数 ,如外延层厚度、电阻率均匀性 ,过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征 .研究表明 :1 50 mm P/P+ CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求 ,
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半导体学报
2000年05期
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