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物理学
High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers
1 Introduction980nmInGaAs/GaAs/AlGaAsstrainedquantumwelllasershaveattractedconsiderableattentionaspumpingsourcesfortheErbium-dopedfiberamplifiers(EDFA)andsolid-statelasers[1,2].However,forInGaAs/GaAs/AlGaAsstrainedquantumwelllasers,thereliabilityisthemos
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半导体学报
2000年05期
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