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无线电电子学
掺杂nc-Si∶H膜的电导特性
采用常规 PECVD工艺 ,以高纯 H2 稀释的 Si H4 作为反应气体源 ,以 PH3作为 P原子的掺杂剂 ,在 P型 ( 1 0 0 )单晶硅 ( c- Si)衬底上 ,成功地生长了掺 P的纳米硅膜 ( nc- Si( P)∶ H)膜 .通过对膜层结构的 Raman谱分析和高分辨率电子显微镜 ( HREM)观测指出 :与本征 nc- Si∶H膜相比 ,nc- Si( P)∶ H膜中的 Si微晶粒尺寸更小 (~ 3nm) ,其排布更有秩序 ,呈现出类自组织生长的一些特点 .膜层电学特性的研究证实 ,nc- Si( P)∶ H膜具有比本征 nc- Si∶ H膜约高两个数量级的电导率 ,其 σ值可高达 1 0 - 1~ 1 0 - 1Ω- 1· cm- 1.这种高电导率来源于 nc- Si( P)∶H膜中有效电子浓度 ne的增加、Si微晶粒尺寸的减小和电导激活能 ΔE的降低 .采用 nc- Si( P)∶H膜和 P型 c- Si制备了异质结二极管 ,其反向击穿电压值可高达 75V,而反向漏电流却仅有几个 n A,呈现出良好的反向击穿特性
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半导体学报
2000年03期
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