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无线电电子学
适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管(GCHT)的实验研究
本文讨论了SOI栅控混合管(GCHT)的设计及制备.对这种器件的物理机制进行了实验验证,得到结论:GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流,而不如文献[4]中报道是MOS电流.实验结果表明,这种混合管具有比纯MOSFET约高6.5倍,比纳BJT约高1.7倍的驱动能力,最高电流增益可达10000,最小亚阈摆幅可达66mV/dec,导通电压比纯BJT约低0.3V,比纯MOSFET约低0.7V由GCHT组成的反相器在Vdd=0.8V仍具有良好的直流传输特性.因此GCHT在低压低功耗应用领域中极具潜力,同时也将适于模拟电路方面的应用.
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半导体学报
1997年11期
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