手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型
本文根据MOS器件沟道区离子注入引起的衬底杂质非均匀分布情况,提出了一个简单的衬底杂质分布的近似.并以此导出了非均匀掺杂下开启电压的衬偏效应模型.模型中采用了一个双曲函数解决了在不同掺杂区域的边界处,电流(或开启电压)对衬偏VBS的导数的不连续问题,并可通过调整参数δ计及实际器件中衬底掺杂的缓变过程.本文还给出一个与村偏相关的短沟道效应公式,准确地反应了深亚微米器件衬偏效应减小的现象.模型计算的结果与数值模拟的结果十分一致.
2 100
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
半导体学报
1997年11期
相似文献
图书推荐
相关工具书

搜 索