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物理学
(113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱研究
光致发光(PL)实验表明;与(001)衬底比较,(113)B-GaAs/Al0.3Ga0.7As单量子阱结构(SQW’s)具有增强的光跃迁几率,它被归因于(113)B-GaAs阱中较大的重空穴有效质量mhh结果给出:这个数值比以前所报道的都高.
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半导体学报
1997年11期
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