手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
无线电电子学
Two-Dimensional Simulation of Interface States Effect on AlGaAs/GaAs HEMT
1Introducti0nInmostheterostructurestherearevariousinterfacestatesduetolatticemismatchorimperfectionsattheinterface.ThepropertiesofanAlGaAs/GaAsinterfaceareintimatelyrelatedt0thedeviceperformance.TheexistenceofinterfacestatesinanAl.Ga,-.As/GaAsheterostruct
0 29
手机阅读本文
下载APP 手机查看本文
半导体学报
1997年08期
相似文献
图书推荐
相关工具书

搜 索