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无线电电子学
InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究
当激发光能量小于GaAs势垒带边能量时,在InAs量子点结构中,清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰.研究表明,此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光,局域化能量为12meV,发光具有二维特性.在相同的生长条件下,此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关.这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质.
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半导体学报
1997年08期
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