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无线电电子学
红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究
在红外区熔再结晶SOI材料上用MBE的方法形成Si/GexSi1-x/Si量子阱结构.在此基础上,采用常规的P-MOS工艺制造出了SOIGexSi1-x合金沟道P-MOSFET.为避免GexSi1-x合金材料发生蜕化,MBE以后除快速热退火(RTA)以外的所有工艺温度都不超过800℃.直流特性的测量结果表明,与普通Si沟道器件相比,GexSi1-x合金沟道器件的沟道载流子迁移率有所提高.而且,这种器件在性能的进一步提高方面存在着相当大的潜力.
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半导体学报
1997年08期
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